Микросхема энергонезависимой памяти NOR FLASH
GSN2517Y в корпусе SOP8 производства GS Nanotech (входит в
GS Group) внесена в реестр промышленной продукции,
произведенной на территории Российской Федерации.
Аналогичная микросхема от
GS Nanotech имела менее
распространённый корпус LGA-41. Чтобы удовлетворить
потребности рынка, инженеры GS Nanotech выпустили решение
pin-to-pin, совместимое с иностранными аналогами, привычными
российским разработчикам.
Микросхемы NOR FLASH используют последовательный интерфейс
SPI, позволяют осуществлять не менее 100 тысяч циклов записи
и стирания на сектор, а также обеспечивают 20-летнее
хранение данных и программируемую защиту от записи. Кроме
того, в микросхемах GSN2517Y применяется побайтный доступ
к памяти, что обуславливает высокую скорость чтения данных
(на уровне 50 МБ/с) и базовую надежность. Каждое устройство
имеет 64-битный уникальный идентификатор и рабочий
температурный диапазон от -40 до +85 °C.
Применение энергонезависимой памяти требуется почти во всей
электронике. Сфера использования
NOR FLASH варьируется от
телекоммуникации и связи до автоэлектроники, датчиков,
промышленных контроллеров. Если оценивать требования ПП
№719, то применение отечественных микросхем памяти в
автоэлектронике или счётчике электроэнергии поможет набрать
производителю целых 12 баллов для соответствия
ужесточающимся требованиям, связанным с применением
российских комплектующих.
