Анна Филиппова
Компания
NXP Semiconductors N.V. представила мощные СВЧ LDMOS транзисторы
восьмого поколения (Gen8) для беспроводных базовых станций,
позволяющие расширить полосу пропускания сигнала до 60 МГц и
предоставляющие оптимизированную схему согласования ввода/вывода
для создания широкополосных недорогих компактных
мультистандартных усилителей мощности Догерти с высокой
эффективностью.
NXP Semiconductors N.V. поставляет решения на основе
высокопроизводительных смешанных цифро-аналоговых (High
Performance Mixed Signal) и стандартных полупроводниковых
компонентов, в которых воплощен лидирующий на рынке опыт
разработок компании в области радиочастотных и аналоговых
сигналов, управления питанием, интерфейсов, безопасности и
цифровой обработки сигнала. Эти инновационные решения
используются в широком диапазоне применений для автомобильной и
промышленной электроники, средств идентификации, инфраструктуры
беспроводной связи, систем освещения, мобильных устройств,
бытовой техники и вычислительных систем. Являясь глобальным
производителем полупроводниковых компонентов, компания
представлена более чем в 30 странах мира и обладает годовым
доходом в $4,4 млрд.
В настоящее время компания NXP выпускает опытные образцы
транзисторов Gen8 LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide
Semiconductor – смещенно-диффузная МОП технология на основе
кремния) для частот до 960 МГц с превосходной линейностью,
высочайшей надежностью и КПД более 55% для усилителей мощности в
GSM-системах с использованием множества несущих. Вторая очередь
опытных образцов для диапазонов GSM-WCDMA-LTE (1800, 1900 и 2100
МГц) появится до конца 2011 года.
Поставщики беспроводных инфраструктур испытывают нарастающее
давление рынка, которому требуются экономически и энергетически
эффективные базовые станции, причем незамедлительно. Это
давление ощущается не только в развивающихся странах, но и на
более зрелых рынках, к тому же, многочисленность стандартов
сотовой связи, частотных полос и требования совместного
использования сетей в сельских районах еще больше усложняют
ситуацию. Технология Gen8 LDMOS компании NXP призвана решить все
эти проблемы и обеспечить создание многополосных и
широкополосных усилителей мощности, а также базовых
приемопередающих станций (BTS), поддерживающих множество
режимов, – с низким потреблением энергии и оптимальными
затратами.
Кристоф Кугге (Christophe Cugge), директор по маркетингу,
подразделение усилителей мощности для базовых станций, компания
NXP Semiconductors, отмечает: «Растущая популярность приложений
с интенсивным использованием полосы пропускания стимулирует
постоянное развитие технологий беспроводных базовых станций. С
недорогой, высокоэффективной технологией Gen8 LDMOS компании NXP
OEM-производители базовых станций смогут создавать
мультистандартные, готовые к будущему решения и повышать выход
продукции за счет более строгих спецификаций для массового
производства. Компания NXP разрабатывает референсные схемы на
базе Gen8 LDMOS для ряда устройств, включая асимметричный
усилитель и 3-канальный усилитель Догерти.
ПОДВЕРСТКА
Ключевые характеристики
- Силовые транзисторы Gen8 LDMOS радиочастотного диапазона имеют
расширенную полосу пропускания, более высокую мощность и более
высокий КПД при меньших размерах и цене.
- У транзисторов Gen8 по сравнению с предыдущим поколением
плотность мощности выше на 15%, а выход мощности – примерно на
5% (в зависимости от приложения)
- Пиковые уровни мощности выше 500 Вт (P3dB) для ВЧ коррекции
теперь достижимы в компактном, недорогом корпусе типоразмера
SOT502.
- Расширенная полоса пропускания видео позволяет задействовать
весь выделенный диапазон частот.
- LDMOS технология компании NXP в мощных СВЧ транзисторах обычно
использует напряжения от 28 до 32 В и обеспечивает рекордные
рабочие частоты до 3,8 ГГц.