Gen8 LDMOS

Анна Филиппова

Компания NXP Semiconductors N.V. представила мощные СВЧ LDMOS транзисторы восьмого поколения (Gen8) для беспроводных базовых станций, позволяющие расширить полосу пропускания сигнала до 60 МГц и предоставляющие оптимизированную схему согласования ввода/вывода для создания широкополосных недорогих компактных мультистандартных усилителей мощности Догерти с высокой эффективностью.

NXP Semiconductors N.V. поставляет решения на основе высокопроизводительных смешанных цифро-аналоговых (High Performance Mixed Signal) и стандартных полупроводниковых компонентов, в которых воплощен лидирующий на рынке опыт разработок компании в области радиочастотных и аналоговых сигналов, управления питанием, интерфейсов, безопасности и цифровой обработки сигнала. Эти инновационные решения используются в широком диапазоне применений для автомобильной и промышленной электроники, средств идентификации, инфраструктуры беспроводной связи, систем освещения, мобильных устройств, бытовой техники и вычислительных систем. Являясь глобальным производителем полупроводниковых компонентов, компания представлена более чем в 30 странах мира и обладает годовым доходом в $4,4 млрд.
В настоящее время компания NXP выпускает опытные образцы транзисторов Gen8 LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor – смещенно-диффузная МОП технология на основе кремния) для частот до 960 МГц с превосходной линейностью, высочайшей надежностью и КПД более 55% для усилителей мощности в GSM-системах с использованием множества несущих. Вторая очередь опытных образцов для диапазонов GSM-WCDMA-LTE (1800, 1900 и 2100 МГц) появится до конца 2011 года.
Поставщики беспроводных инфраструктур испытывают нарастающее давление рынка, которому требуются экономически и энергетически эффективные базовые станции, причем незамедлительно. Это давление ощущается не только в развивающихся странах, но и на более зрелых рынках, к тому же, многочисленность стандартов сотовой связи, частотных полос и требования совместного использования сетей в сельских районах еще больше усложняют ситуацию. Технология Gen8 LDMOS компании NXP призвана решить все эти проблемы и обеспечить создание многополосных и широкополосных усилителей мощности, а также базовых приемопередающих станций (BTS), поддерживающих множество режимов, – с низким потреблением энергии и оптимальными затратами.
Кристоф Кугге (Christophe Cugge), директор по маркетингу, подразделение усилителей мощности для базовых станций, компания NXP Semiconductors, отмечает: «Растущая популярность приложений с интенсивным использованием полосы пропускания стимулирует постоянное развитие технологий беспроводных базовых станций. С недорогой, высокоэффективной технологией Gen8 LDMOS компании NXP OEM-производители базовых станций смогут создавать мультистандартные, готовые к будущему решения и повышать выход продукции за счет более строгих спецификаций для массового производства. Компания NXP разрабатывает референсные схемы на базе Gen8 LDMOS для ряда устройств, включая асимметричный усилитель и 3-канальный усилитель Догерти.

ПОДВЕРСТКА
Ключевые характеристики

• Силовые транзисторы Gen8 LDMOS радиочастотного диапазона имеют расширенную полосу пропускания, более высокую мощность и более высокий КПД при меньших размерах и цене.
• У транзисторов Gen8 по сравнению с предыдущим поколением плотность мощности выше на 15%, а выход мощности – примерно на 5% (в зависимости от приложения)
• Пиковые уровни мощности выше 500 Вт (P3dB) для ВЧ коррекции теперь достижимы в компактном, недорогом корпусе типоразмера SOT502.
• Расширенная полоса пропускания видео позволяет задействовать весь выделенный диапазон частот.
• LDMOS технология компании NXP в мощных СВЧ транзисторах обычно использует напряжения от 28 до 32 В и обеспечивает рекордные рабочие частоты до 3,8 ГГц.